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深圳市三佛科技有限公司

MOS管(2N60,4N60,7N60,8N80)，IGBT，Power IC，肖特基二极管，三极管

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MOS： p沟道 -30V
MOS： p沟道 -30V -1A~-75A 富鼎先进（APEC）Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP2303GN-HF SOT-23(N)P-30-1.9AP2305AGN-HF 		2014-04-23
MOS： p沟道 -35V
MOS： p沟道 -35V -7A~-25A 富鼎先进（APEC）Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP4409AGEMSO-8(M) P-35-14.5AP4415GH TO-2 		2014-04-23
MOS： p沟道 -40V
MOS： p沟道 -40V -3A~-60A 富鼎先进（APEC）Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP2321GN-HFSOT-23(N)P-40-3.1AP6677GH TO-2 		2014-04-23
MOS： p沟道 -60V
MOS： p沟道 -60V -2A~-45A 富鼎先进（APEC）Part Number Package TypeVDS (V)IDS (A)AP2311GN-HF SOT-23(N) P-60-1.8AP4951GM S 		2014-04-23
MOS： p沟道 -80V
MOS： p沟道 -80V -3A~-95A 富鼎先进（APEC）Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP9581GS-HFTO-263(S)P-80-95AP9585GH TO-25 		2014-04-23
MOS： p沟道 -100V
MOS： p沟道 -100V -15A~-25A 富鼎先进（APEC）Part Number PackageTypeVDS (V)IDS (A)AP15P10GH-HFTO-252(H)P-100-15AP15P10GJ- 		2014-04-23
MOS： p沟道 -140V
MOS： p沟道 -140V -2A~-23A 富鼎先进（APEC）Part Number Package TypeVDS (V)IDS (A)AP15P15GH-HFTO-252(H) P-140-15AP15P15GI 		2014-04-23
EEPROM存储芯片T24C02，可替代AT24C02
EEPROM存储芯片T24C02，可替代AT24C02T24C02是一个2K位EEPROM存储芯片，可以完全替代AT24C02工作温度：-40℃ to +85℃工作电压： 		2014-04-23
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